性能最好的UFS4.0閃存來了！連續(xù)讀速提升1.3倍

處理器之外，你的手機(jī)可能要迎來一個足夠的升級理由，UFS 4.0閃存它來了。

5月4日早間消息，三星半導(dǎo)體宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)性能最佳的UFS 4.0(Universal Flash Storage)存儲芯片，并且已經(jīng)通過JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會的認(rèn)證批準(zhǔn)。

性能方面，UFS 4.0的每通道帶寬速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的兩倍。基于三星的第七代V-NAND閃存和自研主控，實(shí)測連續(xù)讀速可達(dá)4200MB/s、連續(xù)寫速可達(dá)2800MB/s。

可做對比的是，目前業(yè)內(nèi)性能最好的三星512GB UFS 3.1閃存芯片(2020年3月發(fā)布)，標(biāo)稱連續(xù)讀速最高2100MB/s，寫速1200MB/s。這樣換算的話，寫入提升了1.3倍。

在提速的同時，單位功耗居然還低了。按照三星的說法，每1mA電流可承載6MB/s的讀速，比前一代提高46%，這意味著用戶可以獲得更長的電池續(xù)航時間。

另外，UFS 4.0閃存芯片的封裝尺寸只有11x13x1mm，最大容量1TB。

據(jù)悉，三星UFS 4.0閃存將于今年三季度投入量產(chǎn)，換言之，最快下半年應(yīng)該就能見到相關(guān)手機(jī)問世，比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。

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