上周末有關第三代半導體將寫入 “十四五規(guī)劃”的消息引起廣泛關注,據(jù)權(quán)威消息人士透露,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的 “十四五”規(guī)劃,計劃在 2021-2025 年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
什么是第三代半導體?按業(yè)內(nèi)定義,第三代半導體材料是指帶隙寬度明顯大于硅(Si)的寬禁帶半導體材料,主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等,因其禁帶寬度大于或等于 2.3 電子伏特,又被稱為寬禁帶半導體材料。其具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。
在業(yè)內(nèi)人士看來,第三代半導體更重要的意義是在功率器件領域,通過其特殊的材料特性,改進相關芯片及器件性能。
IT之家了解到,目前,德國的英飛凌、日本的羅姆和美國的 Transphorm 是第三代半導體的主要供應商,但中國巨大的市場需求最能支持國產(chǎn)供應的發(fā)展,許多中國半導體企業(yè)正在積極進行第三代半導體方面的部署。碳化硅制造商北京天科合達半導體公司剛剛在 2020 年 7 月提交了在上海證券交易所科創(chuàng)板上市的申請,碳化硅模塊和解決方案提供商忱芯科技也在 8 月完成了來自天使投資人的新一輪融資。華為通過其投資部門哈勃科技投資持有 10% 股份的天岳晶體,也投資 30 億元人民幣(4.3916 億美元)在湖南長沙建設 SiC 工廠。
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