Intel回應(yīng)不實傳聞：不會放棄3DXPoint技術(shù)

針對近期的一些不實傳聞，Intel澄清并表示，不會放棄3D XPoint技術(shù)，并且正在開發(fā)支持下一代至強可擴展處理器Sapphire Rapids的第三代傲騰產(chǎn)品。

在此之前，美光退出3D XPoint市場，帕特·基辛格接任Intel首席執(zhí)行官，Intel NAND閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士，各種動作都讓外界對于Intel其它非易失性存儲器業(yè)務(wù)的未來充滿疑慮，尤其是一貫非常高調(diào)的Optane傲騰業(yè)務(wù)，最近非常低調(diào)。

Intel現(xiàn)存的存儲相關(guān)業(yè)務(wù)主要是基于3D XPoint技術(shù)的傲騰固態(tài)盤和持久內(nèi)存業(yè)務(wù)，相關(guān)產(chǎn)品由美光在猶他州 Lehi的工廠制造，3D XPoint研發(fā)則由Intel位于新墨西哥州的Rio Rancho工廠開展。

Intel目前正在出貨的是第二代3D XPoint產(chǎn)品，第三代及第四代產(chǎn)品層出現(xiàn)在2020年的Intel產(chǎn)品路線圖上，但沒有注明日期。

過去幾個月，Intel也并未談及其對傲騰的承諾和計劃。

從產(chǎn)品策略的角度來看，Intel傲騰持久內(nèi)存僅限于與至強CPU連接，一直被視為Intel至強CPU比AMD服務(wù)器CPU更具競爭優(yōu)勢的一大特性，通過有效為至強提供更多的內(nèi)存，加速應(yīng)用程序運行。

而如今，在HBM高帶寬內(nèi)存的幫助下，至強的內(nèi)存量限制正在被消除，Sapphire Rapids也會可選集成最多64GB HBM2e內(nèi)存。這意味著，將傲騰持久內(nèi)存作為至強助力的戰(zhàn)略必要性正在減少。

今年2月，Intel數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲解決方案部門(包含傲騰業(yè)務(wù))副總裁兼總經(jīng)理Alper Ilkbahar已辭職。此外，還有消息稱，Intel傲騰3D XPoint業(yè)務(wù)在2020年虧損超過5億美元。

Intel在最近的投資者大會中都沒有提及或推廣傲騰。Objective Analysis的Jim Handy表示：“很難判斷Intel對3D XPoint/傲騰的承諾有多大。自從帕特·基辛格掌舵以來，Intel管理層在講話中從未提及傲騰，這種沉默很容易引起外界的遐想。Intel肯定不是在大力推動傲騰。”

2月24日，在基辛格接受一次采訪中表示：“我從未想過涉足內(nèi)存業(yè)務(wù)，可以看到我在盡力退出我們的存儲業(yè)務(wù)。”

緊隨其后，2月28日，分析師Tom Coughlin在福布斯上發(fā)表了一篇名為“Intel會放棄傲騰么?”的文章，其中指出：“Intel很可能會出售當(dāng)前傲騰產(chǎn)品的剩余庫存，但不會為CXL和第五代PCIe開發(fā)新產(chǎn)品。”

他補充說，“有很多傳言稱，Intel不會開發(fā)新的傲騰產(chǎn)品”，并總結(jié)道，“Intel一年多來并未發(fā)布新的傲騰內(nèi)存產(chǎn)品，并且自從美光在2021年關(guān)閉Lehi工廠以來，也沒有明顯增加3D XPoint的產(chǎn)能。這種非易失性存儲技術(shù)曾經(jīng)前途光明，但其相關(guān)產(chǎn)品可能是最后一代了。”

基于以上種種，我們詢問Intel是否仍致力于開發(fā)傲騰和3D XPoint。

對此，Intel全球傳播事業(yè)部的Ann Goldman答復(fù)稱：“我們將持續(xù)與客戶和合作伙伴在內(nèi)存和存儲技術(shù)領(lǐng)域展開密切合作，其中包括支持Sapphire Rapids的第三代Intel傲騰產(chǎn)品。與此同時，我們也正在賦能生態(tài)系統(tǒng)，為實現(xiàn)基于CXL互連技術(shù)的內(nèi)存分層等關(guān)鍵技術(shù)做好準(zhǔn)備。”

我們認(rèn)為，Intel仍將持續(xù)推動3D XPoint的進一步發(fā)展，但具體情況仍有待觀察。

注解

傲騰是Intel的品牌名稱，用于采用3D XPoint介質(zhì)的產(chǎn)品。這是相變存儲器的一種實現(xiàn)方式，使用電流將硫?qū)俨ＡР牧系臓顟B(tài)從晶體變?yōu)榉蔷w并再次變回晶體。這兩種狀態(tài)的電阻不同，即分別用于表示二進制的1和0。每個狀態(tài)都是持久的，即非易失的。

3D XPoint介質(zhì)在單元中制造，這些單元以2層交叉點陣列布局，訪問速度比NAND閃存快，但比DRAM慢，寫入時間大約是讀取時間的三倍。

傲騰可以用作連接內(nèi)存總線的DIMM(持久內(nèi)存)或連接NVMe的固態(tài)盤。

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