IMEC造出0.8um銦鎵鋅氧化物晶體管8位處理器

現(xiàn)在高性能的處理器越來越復(fù)雜，工藝也先進(jìn)，但在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，有些芯片需要更低的功耗，IMEC比利時微電子中心今天宣布聯(lián)合多家合作伙伴造出了0.8um的IGZO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)的8位處理器，功耗可低至0.01W。

與硅基CMOS工藝的芯片相比，薄膜晶體管技術(shù)的芯片具有獨特的優(yōu)勢，包括低成本、輕薄、柔性、可彎曲等等，更適合物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，比如RFID射頻標(biāo)簽、健康傳感器等等，還可以作為顯示器的驅(qū)動芯片。

這些領(lǐng)域缺少的是一個靈活的處理器，IMEC現(xiàn)在制造的就是全新的8位微處理器，可以執(zhí)行復(fù)雜的計算。

具體來說，這款8位處理器性能強(qiáng)，頻率可達(dá)71.4KHz(不是MHz，在該領(lǐng)域是高頻了)，功耗非常低，其中10KHz頻率下只有11.6mW，最高速度下也只有134.9mW，也就是0.01W到0.13W之間。

制造這款處理器使用的是0.8um IGZOO銦鎵鋅氧化物晶體管技術(shù)，集成了1.6萬個晶體管，面積也只有24.9mm2，已經(jīng)是該技術(shù)中集成度、良率都很高的水準(zhǔn)了。

關(guān)鍵詞： 薄膜晶體管技術(shù) 高性能的處理器 全新的8位微處理器 可以執(zhí)行復(fù)雜的計算