新一代高帶寬內(nèi)存HBM3發(fā)布：編號(hào)JESD238

JEDEC組織今天正式發(fā)布了新一代高帶寬內(nèi)存HBM3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，編號(hào)JESD238。

HBM3標(biāo)準(zhǔn)繼續(xù)在存儲(chǔ)密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個(gè)層面進(jìn)行擴(kuò)充升級(jí)，具體包括：

- 傳輸數(shù)據(jù)率在HBM2基礎(chǔ)上再次翻番，每個(gè)針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps，配合1024-bit位寬，單顆最高帶寬可達(dá)819GB/s。

如果使用四顆，總帶寬就是3.2TB/s，六顆則可達(dá)4.8TB/s。

-獨(dú)立通道數(shù)從8個(gè)翻番到16個(gè)，再加上虛擬通道(pseudo channel)，單顆支持32通道。

- 支持4/8/12-high TSV硅穿孔堆棧，未來會(huì)拓展到16-high——可以理解為4-16顆內(nèi)部堆疊。

- 每個(gè)存儲(chǔ)層容量8/16/32Gb，單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

-支持平臺(tái)級(jí)RAS可靠性，集成ECC校驗(yàn)糾錯(cuò)，支持實(shí)時(shí)錯(cuò)誤報(bào)告與透明度。

- 提升能效，主接口使用0.4V低擺幅調(diào)制，運(yùn)行電壓降低至1.1V。

NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業(yè)都第一時(shí)間表達(dá)了對(duì)HBM3內(nèi)存的支持。

早在去年8月，SK海力士就提前發(fā)布了首批HBM3產(chǎn)品，單顆容量16/24GB，12-high堆疊，帶寬初期819GB/s，最近更是提升到了896GB/s。

關(guān)鍵詞： 內(nèi)存 HBM3 發(fā)布 編號(hào)